Teknologi Memori Baru: 1000x Lebih Cepat Dari Flash

Para ilmuwan di Universitas Pennsylvania mengatakan bahwa mereka telah menemukan sebuah teknologi memori non volatile baru yang mampu mengakses data 1000 kali lebih cepat dari flash, menyimpan data selama 100.000 tahun dan berpotensi memiliki kapasitas Terabit.

Tidak diragukan lagi bahwa dalam waktu dekat ini teknologi penerus flash memory akan mulai digunakan karena teknologi flash yang telah mulai mendekati batasnya dalam segi ekonomi maupun skalabilitas. Pertanyaannya adalah, teknologi apa yang akan menjadi penerus flash?

Para peneliti di Universitas Pennsylvania telah menambahkan sebuah solusi lagi ke daftar teknologi yang mungkin menjadi penerus flash. Tim yang dipimpin oleh Ritesh Agarwal, seorang asisten profesor di Depertemen Material Science and Engineering telah menciptakan sebuah varian dari phase change memory, memperlihatkan sebuah teknologi yang berbasis self assembling nanowire of germanium antimony telluride, sebuah material yang struktur amorphous dan crytalline-nya terus berubah, sebuah kunci untuk membaca atau menulis dari memori komputer.

Percobaan-percobaan pertama atas teknologi ini sangat menjanjikan. Tim Agarwal mengatakan bahwa proses menulis, menghapus dan membaca data hanya berlangsung selama 50 nanosecond yang berarti alat ini sekitar 1000 kali lebih cepat dibandingkan rata-rata alat flash hari ini dan pada saat yang sama, hanya mengkonsumsi sedikit sekali energi, hanya sekitar 0,7 mW per bit. Selain itu, teknologi ini juga tidak akan kehilangan data setelah 100.000 tahun pemakaian.

Kekurangannya, teknologi ini masih cukup jauh dari segi kesiapan pakai. Menurut Agarwal, produk komersiil berbasis teknologi ini masih membutuhkan waktu sekitar delapan hingga sepuluh tahun lagi.

Masih lama mungkin 5 tahun lagi

buat indo tahun 2015

elmotan wrote:buat indo tahun 2015

Waaah lebih lama lagee

jadi...kapan indonesia??? masa paling akhir melulu??